因为上板面有溶液的堆积﹐减弱了蚀刻反应的进行， 但可以通过调整上 下喷嘴的喷淋压力来解决上下板面蚀刻不均的现象。蚀刻工艺的一个普遍问题是在相同的时间里使全部板面都蚀刻干净是很难做 到的。 因基板的边缘位置比中心部位蚀刻得更快，金属发热丝蚀刻，故很难做到同时使全部蚀刻都干 净。 而采用喷淋系统并使喷嘴摆动喷射是一个有效的解决措施。 要更进一步地改 善，可以透过对板中心和边缘处不同的喷淋压力， 以及对板前沿和板后端采用间歇 蚀刻的方法﹐达到整个板面的蚀刻均匀性。
化学蚀刻（Chemical etching）-- 气态物质（中性原子团）与表面反应， 产物必定易挥发，蚀刻标牌，也称为等离子蚀刻。等离子增强蚀刻(Ion-enhanced etching)—单独使用中性原子团不能形成易挥发产物，具有一定能量的离子改变衬底或产物；具有一定能量的离子改变衬底或产物层，威海蚀刻，这样，化学反应以后能生成挥发性物质，亦称为反应离子蚀刻（RIE） 。 溅射蚀刻（Sputteretching）--具有一定能量的离子机械的溅射衬底材料。 蚀刻速率（Etchrate）--材料的剥离速率，通常以?/min，?/sec，nm/min， um/min 为单位计 量。 各向同性蚀刻（Isotropic etch）-- 蚀刻速率在所有方向都是相同的。
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