在锗磁敏晶体管的发射极一侧用喷砂方法损伤一层晶格,设置载流子复合速率很大的高复合区r,而在硅磁敏晶体管中未设置高复合区。锗磁敏晶体管具有板条状结构,集电区和发射区分别设置在板条的两面,而基极设置在另一侧面上。硅磁敏晶体管具有平面结构,基极均设置在硅片表面。
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